存储芯片是集成电路的重要分支，主要应用在消费电子、信息通信、汽车电子等多个领域。存储芯片可大致分为易失性存储器和非易失存储器两类，其中，易失性存储芯片在所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品是DRAM和SRAM。非易失性存储芯片在所在电路断电后，仍能保存数据，代表性产品是NAND FLASH和NOR FLASH。DRAM、NAND Flash是目前主流的存储方案。

　　目前全球存储芯片被海外企业高度垄断，行业集中度较高。其中，NAND Flash以三星、SK海力士、Kioxia、美光、西部数据5家企业为主，DRAM被三星、SK海力士、美光三家企业垄断。我国是全球最主要的存储芯片消费市场，但自给率较低，未来有广阔的国产替代空间。

　　在国家政策及国家大基金支持下，近年来长江存储、长鑫存储为代表的国内存储企业逐步崛起，其中，长江存储侧重在NAND Flash领域发力，2022年初率先实现232层3D NAND量产，首次领先海外企业，逐渐缩小与国际存储巨头之间的差距。长鑫存储侧重攻克DRAM，在工艺制程上不断加快追赶三大企业进度。

　　长江存储专注于3D NAND闪存的设计与制造，向全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆和颗粒，以及嵌入式存储芯片、消费级和企业级固态硬盘等产品和解决方案。产品广泛应用于移动通信、消费电子、服务器以及数据中心等领域。长江存储自主研发的Xtacking技术颠覆了传统NAND闪存架构，实现了高密度、高性能、高可靠性和低功耗的闪存芯片，实现了存储芯片的自主可控，为国产化进程树立了里程碑。

　　存储致力于3D NAND闪存芯片的研发和生产中。2017年，长江存储成功试产了32层3D NAND闪存芯片，成为中国首家掌握3D NAND闪存技术并实现量产的企业。2018年，长江存储64层3D NAND闪存芯片量产，并开始向全球客户供货。2019年，长江存储128层3D NAND闪存芯片研发成功，并于2020年9月实现量产。2022年，长江存储成功试产232层3D NAND闪存芯片，计划于2024年实现量产。

　　长江存储为中国科技自立自强提供了有力支撑。自成立以来，长江存储快速实现了从无到有、从弱到强的跨越式发展，成为全球最具创新性的3D NAND闪存芯片开发和制造商之一，已开发出能够生产更快、容量更大且成本更低的闪存芯片技术，打破了国际巨头垄断，实现了国产存储芯片的自主可控；成为全球第三家、中国第一家实现128层3D NAND闪存芯片量产的企业，并成功研发出232层3D NAND闪存芯片。长江存储通过不断的技术迭代，其闪存芯片性能显著提升。美国商务部2022年底将长江存储列入黑名单，但长江存储依然在持续发展3D NAND内存。

　　中国存储芯片市场规模庞大，但自给率较低，作为我国解决数据安全问题的重要环节，国产替代空间广阔。为解决我国关键领域的数据存储安全问题，在产业政策的推动下，国内NAND Flash存储晶圆的工艺制程和堆叠层数等技术方面取得关键突破。通过不断的技术创新和市场拓展，长江存储已在全球市场上占据一席之地，仍面临着与三星、西部数据、美光等国际巨头的激烈竞争。

　　未来，长江存储仍需持续加大研发投入，不断提升技术创新能力，加快缩小与国际巨头差距，在竞争中提升市场占有率；推动存储芯片产业生态链建设，与上下游企业共同打造中国存储芯片产业集群。

　　长江存储凭借其独创的Xtacking架构，实现了存储芯片的自主可控，为国产化进程树立了里程碑，推动了存储芯片生态建设。长江存储凭借科技创新硬实力,入选赛迪科创独角兽百强（2024），排名百强榜第1位。赛迪科创独角兽百强（2024）以因地制宜发展新质生产力要求为新起点，以国家战略新兴产业、未来产业为方向，持续关注科技独角兽企业成长，结合独角兽企业全生命周期成长规律、特征，旨在系统跟踪、挖掘具有创新活力、高成长性的独角兽企业。赛迪科创基于对独角兽企业发展内涵的持续系统研究，围绕影响独角兽企业高质量发展的关键要素，构建经营增长力、资本加速力、技术创新力、社会价值力、资源禀赋力五力评价模型，形成“赛迪科创独角兽百强（2024）榜单”。

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